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    • GaN-MOCVD设备
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      • 产品名称：2英寸3片W320型设备
      • 产品介绍：
        主要技术参数：

        1、生长晶片尺寸：2英寸3片
        2、生长温度控制范围：300℃-1250℃
        3、最大生长速度：3um/小时
        4、系统压力、真空度：
            压力：小于780mmHg
            真空：小于2.0×10-2torr
        5、生长外延片厚度不均匀性：±3%
            组分不均匀性：±3%
        6、配备：（可根据用户要求配置）
            4路气体：（H2,N2,NH3,SiH4）
            6路MO源：（TEG,TEA,TMA,Cp2Mg,TMG,TMin）
        7、主机外形尺寸：4800×800×2200mm（L×W×H）
           （不包括RF电源）

       

  • 技术支持 圭谷设计
  • 关键词： 消毒光源、深紫外LED、紫外消毒、紫外光源、DUV LED、UV LED、UVC、UVB